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Los semiconductores IGBT son un híbrido entre los transistores bipolares de potencia y los MOSFET de potencia.

Sus similitudes con los transistores MOSFET reside en que también se controlan a través de la tensión puerta-emisor (G-E). Al estar controlados por tensiòn y no por corriente, permiten frecuencias de conmutación más altas que un transistor bipolar.

Pero, a diferencia de los MOSFET, las curvas de funcionamiento en la zona de saturación muestran una caída de tensión constante (aproximadamente 0.3 V), y no un comportamiento resistivo. Ésto hace a los IGBT más adecuados que los MOSFET para trabajar con altas potencias, ya que la potencia consumida durante la conducción es proporcional a la intensidad, y no a su cuadrado:

Dicho comportamiento en zona de saturación es similar al comportamiento de los transistores bipolares de potencia.