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Electrónica de potencia
Artículo de la Enciclopedia Libre Universal en Español.
Rama de la electrónica que se refiere a la aplicación de dispositivos electrónicos, principalmente semiconductores, al control y transformación de potencia eléctrica. Esto incluye tanto aplicaciones en sistemas de control como de suministro eléctrico a consumos industriales o incluso la interconexión sistemas eléctricos de potencia.
Para estas aplicaciones, se han desarrollado una serie de dispositivos semiconductores de potencia, todos los cuales derivan del díodo o el transistor. Entre estos se encuentran:
Dichos dispositivos son empleados en equipos que se denominan "Convertidores Estáticos de Potencia", clasificados en :
- Rectificadores: Convierten Corriente Alterna en Corriente Contínua
- Inversores: Convierten Corriente Contínua en Corriente Alterna
- Cicloconversores: Convierten Corriente Alterna en Corriente Alterna
- Choppers: Convierten Corriente Contínua en Corriente Contínua
Dependiendo de la aplicación, se emplean unos u otros de los mencionados semiconductores atendiendo a sus características constructivas y de funcionamiento. La siguiente relación muestra de forma orientativa qué dispositivos son más utilizados, en función de la potencia y frecuencia de trabajo:
- MOSFET de potencia: entre 10 W y 1 kW; hasta 1 MHz.
- IGBT: entre 1 kW y 10 kW; entre 5 y 50 kHz.
- Bipolares de potencia: entre 1 kW y 50 kW; ente 1 kHz y 5 kHz.
- Tiristores/Triacs/GTO: hasta 5 MW; entre 50 Hz y 400 Hz.
Como puede observarse los MOSFET de potencia son más adecuados cuando la aplicación requiere manejar frecuencias de funcionamiento grandes, ya que éstos dispositivos son los que tienen una frecuencia de conmutación más alta. Por el contrario, no son capaces de manejar grandes potencias.
En el caso contrario, en que se manejan grandes potencias pero a baja frecuencia (por ejemplo, en sistemas de control de redes eléctricas), son más convenientes los Tiristores, Triacs y GTO's.
